Infineon erzielt Durchbruch für effizientere Stromversorgung von KI-Rechenzentren

Der Chipkonzern Infineon hat einen bedeutenden Fortschritt in der Stromversorgungstechnologie für KI-Rechenzentren vorgestellt. In einer Mitteilung aus München präsentierte das Unternehmen eine neue Schleiftechnik, die die Herstellung von Silizium-Leistungshalbleiter-Wafern mit nur 20 Mikrometern Dicke ermöglicht – ein Viertel der Dicke eines menschlichen Haares und eine Halbierung gegenüber bisherigen Standards.

Diese innovative Technologie reduziert die Leistungsverluste in der Stromversorgung von Rechenzentren, Motorsteuerungen und Computing-Anwendungen erheblich. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Wafern mit einer Dicke von 40 bis 60 Mikrometern können die Leistungsverluste um mehr als 15 Prozent gesenkt werden. Diese Effizienzsteigerung trägt wesentlich zur Optimierung der Energieverwendung in stark frequentierten KI-Datenzentren bei.

Infineon betonte, dass die neue Technologie bereits bei Kunden qualifiziert worden sei. Der 20-Mikrometer-Prozess soll in den nächsten drei bis vier Jahren die konventionellen Silizium-Wafer für Niedervolt-Stromversorgungen ersetzen. Ein weiterer Vorteil: Die Integration der neuen Wafer in die bestehende Produktionskette erfordert keine zusätzlichen Investitionen, was die Einführung für die Kunden erleichtert.

Adam White, Leiter der Sparte Power & Sensor Systems bei Infineon, erklärte: „Da der Energiebedarf für KI-Rechenzentren rapide ansteigt, gewinnt Energieeffizienz immer mehr an Bedeutung.“ Er fügte hinzu, dass Infineon erwartet, dass das KI-Geschäft in den kommenden zwei Jahren ein Volumen von einer Milliarde Euro erreichen wird.

Trotz dieser positiven Entwicklungen reagierten die Anleger am Dienstag mit Skepsis. Die Infineon-Aktie fiel nachbörslich zeitweise um 1,45 Prozent auf 30,53 Euro an der XETRA. Dies könnte auf die hohen Erwartungen an die neue Technologie und deren Marktdurchdringung zurückzuführen sein, die bislang noch nicht vollständig realisiert wurden.